1.MOS管介绍：

在各大IT企中我们把场效应管（FET)统称为MOS管,其作用是把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，详情参考下图：

2.认识MOS管：

3.MOS管内部结构：

MOS管三个电极：(G：栅极) (D：漏极) ( S：源极)

N-MOS: VGS＞+1.2V以上(+４.５V完全) 導通.

4.MOS管与三极管比较：

4.MOS管与三极管比较：

5.讲解之前让大家先认识一下MOS管

6.同样MOS管也有三个极如何去判断呢？

7.如何判断MOS管是N沟道还是P沟道呢？

8.有寄生二极管的MOS管如何判定？

9.扩充一下知识，MOS管里面的寄生二极管的作用：

D-S之间的二极管的作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏，另外G/S间的寄生电容较小，通常在几pf到10pf左右，考虑到U=Q/C故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿.

10.MOS管在笔记本主板上,有两大作用：

11.MOS开关实现的是信号切换（高低电平切换)

例子1.MOS开关实现电压通断。

12.MOS管用作开关时在电路中的连接方法

13.由于寄生二极管直接导通，NMOS管此S极电压可以无条件到DMOS管就失去了开关的作用，同果PMOS管D极电压也可以无条件到S极，同样失去了开关的作用.

14.MOS管的开关条件:

控制极电平为“ ？V ” 时MOS管导通（饱和导通）？

控制极电平为“ ？V ” 时MOS管截止？

15.饱和导通问题：

UG比US大（或小）多少伏时MOS管才会饱和导通呢？这要看具体的MOS管，

不同MOS管需要的压差不同。

在笔记本主板上用到的NMOS可简单分作两大类：

信号切换用MOS管： UG比US大3V---5V即可，实际上只

要导通即可，不必须饱和导通。

比如常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。

电压通断用MOS管： UG比US应大于10V以上，而且开通

时必须工作在饱和导通状态。

常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702， MDV1660，

AON6428L，AON6718L，AO4496，AO4712，AO6402A，AO3404，

SI3456DDV，MDS1660URH，MDS2662URH，RJK0392DPA，RJK03B9DP。

PMOS管则和NMOS条件刚好相反。

测量的注意事项：

以上都是在MOS管没有被接入任何电路的情形下，进行的测量。 如果MOS管在板时进行测量，测量的值会受到所在电路的影响，有可能会误导判读。 建议在板测量出异常时，最好取下进行一次复判。

测量前，最好用表笔金属针头部分短接MOS管G极与S极，以释放MOS管G极可能残留的静电电荷。因为G极如果存在静电电压可能会造成D与S极处于导通状态，而引起误判。

我们这里测量用的是数字万用表。（当调至“二极管档”时，红表笔是正极（+），黑表笔是负极（-））

如果使用指针式万用表，注意红黑表笔上电压极性刚好相反，请注意测量的结果应该颠倒才对。

正常来讲MOS的D-G或G-S之间都是有很高的阻抗(一般为107以上的阻抗)，D-S之间

有一个正向的阻值约（450~550）左右的二极值，偏高与过低都是有问题的。

代换原则：

1.N沟道代N沟道。P沟道代P沟道,决不能N沟道代P沟道的,耐压大于原来的MOS管，导通电阻要小于原来的。

2.大功率的MOS不能使用小功率的MOS管来代换,主板中大多数的MOS管都分为上管与下管大多数都是转换电压的，所以遇到其中一颗MOS损坏，最后需要将2颗MOS一起更换，这样避免只换一颗通电后又要烧MOS。

如果对MOS管不熟悉最后在网上下载资料确认之后再去更换，避免带来不必要的麻烦。