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内存条的作用、分类、插槽介绍

发布时间:2024-04-14 文章来源:深度系统下载 浏览:

给大家讲解电脑内存条的作用、类型以及内存插槽介绍知识,让大家对内存方面有一个更深的认识。具体电脑内存条的作用、类型以及内存插槽介绍知识内容如下:

内存是计算机中重要的部件之一,它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的,因此内存的性能对计算机的影响非常大。 内存(Memory)也被称为内存储器,其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据,以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中,CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算,当运算完成后CPU再将结果传送出来,内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。

一、DIMM

Dual-Inline-Memory-Modules,即双列直插式存储模块。这是在奔腾CPU推出后出现的新型内存条,DIMM提供了64位的数据通道,因此它在奔腾主板上可以单条使用。它有168条引脚,故称为168线内存条。它要比SIMM插槽要长一些,并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。就目前而言,适用DIMM的内存芯片的工作电压一般为3.3V(使用EDORAM内存芯片的168线内存条除外),适用于SIMM的内存芯片的工作电压一般为5V(使用EDORAM或FBRAM内存芯片),二者不能混合使用。
 
二、DDR内存

DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写,即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。有184针的DDR内存(DDR SDRAM)
 
SDRAM 内存条
 
芯片和模块
标准名称 I/O 总线时脉 周期 内存时脉 数据速率 传输方式 模组名称 极限传输率
DDR-200 100 MHz 10 ns 100 MHz 200 Million 并列传输 PC-1600 1600 MB/s
DDR-266 133 MHz 7.5 ns 133 MHz 266 Million 并列传输 PC-2100 2100 MB/s
DDR-333 166 MHz 6 ns 166 MHz 333 Million 并列传输 PC-2700 2700 MB/s
DDR-400 200 MHz 5 ns 200 MHz 400 Million 并列传输 PC-3200 3200 MB/s
 
利用下列公式,就可以计算出DDR SDRAM时脉。
 
DDR I/II内存运作时脉:实际时脉*2。(由于两笔资料同时传输,200MHz内存的时脉会以400MHz运作。)
 
内存带宽=内存速度*8 Byte
 
标准公式:内存除频系数=时脉/200→*速算法:外频*(除频频率/同步频率)(使用此公式将会导致4%的误差)
 
三、DDR2内存

DDR2/DDR II(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。DDR2接口为240pin DIMM结构。金手指每面有120pin,与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口。但是卡口的位置与DDR内存不同,因此DDR内存条是插不进DDR2内存条的插槽里面的。因此不用担心插错的问题。一款装有散热片的DDR2 1G内存条
 
DDR内存插槽
 
DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽,而且其接口将运行于1.8V 电压上,从而进一步降低发热量,以便提高频率。此外,DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令,提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看,针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺,内存颗粒的电压为1.8V,容量密度为512MB。
 
各类DDR2内存条的技术参数
 
标准名称 I/O 总线时钟频率 周期 存储器时钟频率 数据速率 传输方式 模块名称 极限传输率 位宽
DDR2-400 100 MHz 10ns 200 MHz 400 MT/s 并行传输 PC2-3200 3200MB/s 64位
DDR2-533 133 MHz 7.5 ns 266 MHz 533 MT/s 并行传输 PC2-4200 PC2-4300 4266 MB/s 64 位
DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 MT/s 并行传输 PC2-5300 PC2-5400 5333 MB/s 64 位
DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 MT/s 并行传输 PC2-6400 6400 MB/s 64 位
DDR2-1066 266 MHz 3.75 ns 533 MHz 1066 MT/s 并行传输 PC2-8500 PC2-8600 8533 MB/s 64 位
 
现时有售的DDR2-SDRAM已能达到DDR2-1200,但必须在高电压下运作,以维持其稳定性。
 
四、DDR3内存条
 
DDR3是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品,提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压,是DDR2 SDRAM(四倍资料率同步动态随机存取内存)的后继者(增加至八倍),也是现时流行的内存产品。
 
DDR3相比起DDR2有更低的工作电压, 从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。
 
A-DATA出品的DDR3内存条(DDR SDRAM)
 
各类DDR2内存条的技术参数
 
标准名称 I/O 总线时脉 周期 内存时脉 数据速率 传输方式 模组名称 极限传输率 位元宽
DDR3-800 400 MHz 10 ns 400 MHz 800 MT/s 并列传输 PC3-6400 6.4 GiB/s 64 位元
DDR3-1066 533 MHz 712 ns 533 MHz 1066 MT/s 并列传输 PC3-8500 8.5 GiB/s 64 位元
DDR3-1333 667 MHz 6 ns 667 MHz 1333 MT/s 并列传输 PC3-10600 10.6 GiB/s 64 位元
DDR3-1600 667 MHz 5 ns 800 MHz 1600 MT/s 并列传输 PC3-12800 12.8 GiB/s 64 位元
DDR3-1866 800 MHz 42/7 933 MHz 1800 MT/s 并列传输 PC3-14900 14.4 GiB/s 64 位元
DDR3-2133 1066 MHz 33/4 1066 MHz 2133 MT/s 并列传输 PC3-17000  64 位元
 
DDR2和DDR3的区别

1、突发长度(Burst Length,BL):由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。

2、寻址时序(Timing):就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间,而DDR3则在5~11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0~4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。

3、DDR3新增的重置(Reset)功能:重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。 在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。

4、DDR3新增ZQ校准功能:ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

5、参考电压分成两个:在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

6、点对点连接(Point-to-Point,P2P):这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(Point-to-two-Point,P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分,其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。 面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势,此外,由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移动设备的欢迎,就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域,DDR3未来也是一片光明。目前Intel所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake),其将支持DDR3规格,而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

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